2dsemiconductors MBE-MoSe2說明書

2D MBE MoSe2

分子式： MoSe2

2D MBE MoSe2

一個分子束外延 (MBE) 生長的 MoSe2 單分子層。MBE 是一種用于單晶質(zhì)量薄膜沉積的外延方法，與化學(xué)氣相沉積 (CVD) 或金屬有機化學(xué)氣相沉積 (MOCVD) 技術(shù)相比，它提供了高結(jié)晶度和降低的缺陷密度（參見下面的 HRTEM 圖像）。MoSe2 單層的 MBE 生長發(fā)生在 MBE 室中，基礎(chǔ)壓力為 8E-9 Torr，沉積速率極慢（每秒 5-100 個原子）以達(dá)到結(jié)構(gòu)。典型的 MBE 生長在雙面拋光 c 切藍(lán)寶石上產(chǎn)生單層厚的 MoSe2 隔離三角形。目前，MBE MoSe2 僅在藍(lán)寶石基板上提供，但在不久的將來，我們的 MBE 基板還將包括云母、石墨和金。   

MBE、CVD、MOCVD的比較

MBE、CVD和MOCVD之間的TEM比較

 從 MBE MoSe2 收集的光學(xué)圖像

MBE MoSe2 懸浮在 TEM 網(wǎng)格上

 從 MBE MoSe2 收集的 PL 光譜

 從 MBE MoSe2 收集的拉曼光譜